青島福潤德供應(yīng)全自動lpcvd設(shè)備 

概述：青島福潤德微電子設(shè)備有限公司生產(chǎn)的lpcvd設(shè)備是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
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物流：4.0  服務(wù)態(tài)度：4.0
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lpcvd是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

■ 主要技術(shù)指標(biāo)

◆ 適用硅片尺寸：4~6 "                                 ◆ 工作溫度范圍：350~1000℃                     

◆ 恒溫長度及精度：760mm±1℃                          ◆ 溫度梯度：0~30℃可調(diào)              

◆ 系統(tǒng)極限真空度：0.8 Pa                              ◆ 工作壓力范圍：30Pa~133Pa可調(diào)          

◆ 淀積膜種類：Si3N4  片內(nèi)  ＜±3%  片間  ＜±3%  批間  ＜±4% 

◆ 淀積膜均勻性：Poiy-Si  片內(nèi)  ＜±3%  片間  ＜±3%  批間  ＜±4%

◆ 淀積膜均勻性：SiO2  片內(nèi)  ＜±3% 

雙工位真空燒結(jié)爐

青島福潤德供應(yīng)全自動lpcvd設(shè)備
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