4803 SOP-8 P溝道 MOS管小功率場(chǎng)效應(yīng)管
概述:4803 SOP-8 P溝道 MOS管小功率場(chǎng)效應(yīng)管
本信息已過(guò)期,發(fā)布者可在"已發(fā)商機(jī)"里點(diǎn)擊"重發(fā)"。
- 1 元/個(gè)
4803 SOP-8 P溝道 MOS管小功率場(chǎng)效應(yīng)管
4803mos管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供具有低柵極電荷的出色RDS(ON),具有低R DS(on)@V GS = -5V,5V邏輯電平控制,雙P溝道SOP8封裝,超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞設(shè)備,最大額定值僅為壓力等級(jí),長(zhǎng)期暴露于高于推薦操作條件的應(yīng)力可能影響設(shè)備可靠性。
驪微電子4803mos管該設(shè)備適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用,針對(duì)電源管理進(jìn)行了優(yōu)化便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用,例如H橋,變頻器車(chē)載充電器及其他。
4803mos管產(chǎn)品特征:
•低R DS(on)@V GS = -5V
•5V邏輯電平控制
•雙P溝道SOP8封裝
4803MOSFET管絕對(duì)最大額定值:
超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞設(shè)備。 最大額定值僅為壓力等級(jí)。 功能操作如上不暗示推薦的操作條件。 長(zhǎng)期暴露于高于推薦操作條件的應(yīng)力可能影響設(shè)備可靠性。
驪微電子是一家銷(xiāo)售:三極管、場(chǎng)效應(yīng)MOS管、二三極管、集成IC等產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)批發(fā)商,經(jīng)銷(xiāo)的:場(chǎng)效應(yīng)MOS管、二三極管、IC電子元器件品種齊全、價(jià)格合理,并提供電源領(lǐng)域相關(guān)軟硬件設(shè)計(jì)服務(wù),提供方案設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、客訴等一條龍技術(shù)服務(wù),系統(tǒng)解決客戶技術(shù)后顧之憂。
- leweitech發(fā)布的信息
- 4953 mos管PDF場(chǎng)效應(yīng)管sop8資料雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET
- 4953 mos管PDF場(chǎng)效應(yīng)管sop8資料雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET...
- 4842現(xiàn)貨mos管sop-8全新場(chǎng)效應(yīng)管雙N溝道高級(jí)功率MOSFET
- 4842現(xiàn)貨mos管sop-8全新場(chǎng)效應(yīng)管雙N溝道高級(jí)功率MOSFET...
- 4842 mos管sop-8場(chǎng)效應(yīng)管 30v 28a晶體管
- 4842 mos管sop-8場(chǎng)效應(yīng)管 30v 28a晶體管...
- FP6601Q快充協(xié)議識(shí)別IC兼容QC2.0/3.0/FCP
- FP6601Q快充協(xié)議識(shí)別IC兼容QC2.0/3.0/FCP...
- fp6601q原理和應(yīng)用資料FP6601Q協(xié)議芯片QC3.0快充方案
- fp6601q工作原理和應(yīng)用資料FP6601Q協(xié)議芯片QC3.0快充方案...
- FP6601Q高通QC3.0快速充電協(xié)議芯片
- FP6601Q高通QC3.0快速充電協(xié)議芯片...