南京半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)維修/溧水激光鐳射機(jī)低價(jià)格/江寧光纖激
概述:GTPC-50D激光器、GTPC-50S半導(dǎo)體激光器(半導(dǎo)體激光模塊)推出經(jīng)濟(jì)型、高效型、省電型一體產(chǎn)品了,半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)用戶們,一網(wǎng)激光(137-7756-7846)提供多種系列長(zhǎng)篇:吉泰系列GTPC-50D,GTPC-50S,GTPC-
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GTPC-50D激光器、GTPC-50S半導(dǎo)體激光器(半導(dǎo)體激光模塊)推出經(jīng)濟(jì)型、高效型、省電型一體產(chǎn)品了,半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)用戶們,一網(wǎng)激光(137-7756-7846)提供多種系列長(zhǎng)篇:吉泰系列GTPC-50D,GTPC-50S,GTPC-75S,GTPC-100;威睿晶科系列GDM-50D,GDM-50G,GDM-75 ;一品系列DPL-50S
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英國(guó)古奇系列Q開(kāi)關(guān)(聲光Q頭):GOOCH&HOUSEGO系列Q開(kāi)關(guān)(聲光Q頭) :I-QS027-3C4G-U5-ST1,法國(guó)AA系列Q開(kāi)關(guān)(聲光Q頭):AA.QS27-A5-S1064-WSC
國(guó)產(chǎn)系列Q開(kāi)關(guān)(聲光Q頭)
半導(dǎo)體激光器的發(fā)展
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管(LD)。進(jìn)入八十年代,人們吸收了半導(dǎo)體物理發(fā)展的最新成果,采用了量子阱(QW)和應(yīng)變量子阱(SL-QW)等新穎性結(jié)構(gòu),引進(jìn)了折射率調(diào)制Bragg發(fā)射器以及增強(qiáng)調(diào)制Bragg發(fā)射器最新技術(shù),同時(shí)還發(fā)展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長(zhǎng)技術(shù)新工藝,使得新的外延生長(zhǎng)工藝能夠精確地控制晶體生長(zhǎng),達(dá)到原子層厚度的精度,生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)量子阱以及應(yīng)變量子阱材料。于是,制作出的LD,其閾值電流顯著下降,轉(zhuǎn)換效率大幅度提高,輸出功率成倍增長(zhǎng),使用壽命也明顯加長(zhǎng)。
A 小功率LD
用于信息技術(shù)領(lǐng)域的小功率LD發(fā)展極快。例如用于光纖通信及光交換系統(tǒng)的分布反饋(DFB)和動(dòng)態(tài)單模LD、窄線寬可調(diào)諧DFB-LD、用于光盤等信息處理技術(shù)領(lǐng)域的可見(jiàn)光波長(zhǎng)(如波長(zhǎng)為670nm、650nm、630nm的紅光到藍(lán)綠光)LD、量子阱面發(fā)射激光器以及超短脈沖LD等都得到實(shí)質(zhì)性發(fā)展。這些器件的發(fā)展特征是:?jiǎn)晤l窄線寬、高速率、可調(diào)諧以及短波長(zhǎng)化和光電單片集成化等。
B 高功率LD
1983年,波長(zhǎng)800nm的單個(gè)LD輸出功率已超過(guò)100mW,到了1989年,0.1mm條寬的LD則達(dá)到3.7W的連續(xù)輸出,而1cm線陣LD已達(dá)到76W輸出,轉(zhuǎn)換效率達(dá)39%。1992年,美國(guó)人又把指標(biāo)提高到一個(gè)新水平:1cm線陣LD連續(xù)波輸出功率達(dá)121W,轉(zhuǎn)換效率為45%,F(xiàn)在,輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發(fā)展也為全固化激光器,亦即半導(dǎo)體激光泵浦(LDP)的固體激光器的迅猛發(fā)展提供了強(qiáng)有力的條件。
近年來(lái),為適應(yīng)EDFA和EDFL等需要,波長(zhǎng)980nm的大功率LD也有很大發(fā)展。最近配合光纖Bragg光柵作選頻濾波,大幅度改善其輸出穩(wěn)定性,泵浦效率也得到有效提高。
特點(diǎn)及應(yīng)用范圍:半導(dǎo)體二極管激光器是實(shí)用中最重要的一類激光器。它體積小、壽命長(zhǎng),并可采用簡(jiǎn)單的注入電流的方式來(lái)泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達(dá)GHz的頻率直接進(jìn)行電流調(diào)制以獲得高速調(diào)制的激光輸出。由于這些優(yōu)點(diǎn),半導(dǎo)體二極管激光器在激光通信、光存儲(chǔ)、光陀螺、激光打印、測(cè)距以及雷達(dá)等方面以及獲得了廣泛的應(yīng)用。
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半導(dǎo)體激光器的發(fā)展
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管(LD)。進(jìn)入八十年代,人們吸收了半導(dǎo)體物理發(fā)展的最新成果,采用了量子阱(QW)和應(yīng)變量子阱(SL-QW)等新穎性結(jié)構(gòu),引進(jìn)了折射率調(diào)制Bragg發(fā)射器以及增強(qiáng)調(diào)制Bragg發(fā)射器最新技術(shù),同時(shí)還發(fā)展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長(zhǎng)技術(shù)新工藝,使得新的外延生長(zhǎng)工藝能夠精確地控制晶體生長(zhǎng),達(dá)到原子層厚度的精度,生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)量子阱以及應(yīng)變量子阱材料。于是,制作出的LD,其閾值電流顯著下降,轉(zhuǎn)換效率大幅度提高,輸出功率成倍增長(zhǎng),使用壽命也明顯加長(zhǎng)。
A 小功率LD
用于信息技術(shù)領(lǐng)域的小功率LD發(fā)展極快。例如用于光纖通信及光交換系統(tǒng)的分布反饋(DFB)和動(dòng)態(tài)單模LD、窄線寬可調(diào)諧DFB-LD、用于光盤等信息處理技術(shù)領(lǐng)域的可見(jiàn)光波長(zhǎng)(如波長(zhǎng)為670nm、650nm、630nm的紅光到藍(lán)綠光)LD、量子阱面發(fā)射激光器以及超短脈沖LD等都得到實(shí)質(zhì)性發(fā)展。這些器件的發(fā)展特征是:?jiǎn)晤l窄線寬、高速率、可調(diào)諧以及短波長(zhǎng)化和光電單片集成化等。
B 高功率LD
1983年,波長(zhǎng)800nm的單個(gè)LD輸出功率已超過(guò)100mW,到了1989年,0.1mm條寬的LD則達(dá)到3.7W的連續(xù)輸出,而1cm線陣LD已達(dá)到76W輸出,轉(zhuǎn)換效率達(dá)39%。1992年,美國(guó)人又把指標(biāo)提高到一個(gè)新水平:1cm線陣LD連續(xù)波輸出功率達(dá)121W,轉(zhuǎn)換效率為45%,F(xiàn)在,輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發(fā)展也為全固化激光器,亦即半導(dǎo)體激光泵浦(LDP)的固體激光器的迅猛發(fā)展提供了強(qiáng)有力的條件。
近年來(lái),為適應(yīng)EDFA和EDFL等需要,波長(zhǎng)980nm的大功率LD也有很大發(fā)展。最近配合光纖Bragg光柵作選頻濾波,大幅度改善其輸出穩(wěn)定性,泵浦效率也得到有效提高。
特點(diǎn)及應(yīng)用范圍:半導(dǎo)體二極管激光器是實(shí)用中最重要的一類激光器。它體積小、壽命長(zhǎng),并可采用簡(jiǎn)單的注入電流的方式來(lái)泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達(dá)GHz的頻率直接進(jìn)行電流調(diào)制以獲得高速調(diào)制的激光輸出。由于這些優(yōu)點(diǎn),半導(dǎo)體二極管激光器在激光通信、光存儲(chǔ)、光陀螺、激光打印、測(cè)距以及雷達(dá)等方面以及獲得了廣泛的應(yīng)用。
地址:江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)春雷路101號(hào)
電話:153-5805-1101 肖先生
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