無(wú)接觸體電阻率型號(hào)測(cè)試儀
概述:[中介]產(chǎn)品介紹 HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀是基于渦流(Eddy Current)測(cè)試技術(shù),能夠?qū)枇、硅棒、硅錠及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。
 
產(chǎn)品介紹
HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀是基于渦流(Eddy Current)測(cè)試技術(shù),能夠?qū)枇稀⒐璋、硅錠及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。
無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 測(cè)試范圍廣,低阻可測(cè)至0.001ohm.cm,甚至0.0007ohm.cm,高阻可測(cè)至100ohm.cm
■ 產(chǎn)品體積小,便于移動(dòng)和攜帶
■ 采用渦流法測(cè)試硅錠、棒、回爐料體電阻率
■ 無(wú)接觸、無(wú)損傷快速測(cè)試
■ 測(cè)試前無(wú)需表面處理
■ 特別對(duì)于多晶,能夠有效避免晶界對(duì)測(cè)試的影響
■ 測(cè)試范圍:0.001-100 ohm.cm (分段測(cè)試)
■ 可選加無(wú)接觸PN型號(hào)測(cè)試功能
■ 可進(jìn)行溫度和厚度的修正
無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)
■   硅棒硅塊可測(cè)量電阻率范圍:0.001-100Ohm.cm
■   最小測(cè)試厚度:200μm
■   測(cè)量時(shí)間:2秒/次
■   最小測(cè)試面積:30x30 mm2
■   推薦使用溫度:20℃
■   濕度:≤80%
■   氣壓:86-106kPa
■   使用電壓:230±10V
■   頻率,50±3Hz
■   功率消耗:≤5W
尺寸(LxWxH):280x200x60mm[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]
產(chǎn)品介紹
HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀是基于渦流(Eddy Current)測(cè)試技術(shù),能夠?qū)枇稀⒐璋、硅錠及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。
無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)
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■ 產(chǎn)品體積小,便于移動(dòng)和攜帶
■ 采用渦流法測(cè)試硅錠、棒、回爐料體電阻率
■ 無(wú)接觸、無(wú)損傷快速測(cè)試
■ 測(cè)試前無(wú)需表面處理
■ 特別對(duì)于多晶,能夠有效避免晶界對(duì)測(cè)試的影響
■ 測(cè)試范圍:0.001-100 ohm.cm (分段測(cè)試)
■ 可選加無(wú)接觸PN型號(hào)測(cè)試功能
■ 可進(jìn)行溫度和厚度的修正
無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)
■   硅棒硅塊可測(cè)量電阻率范圍:0.001-100Ohm.cm
■   最小測(cè)試厚度:200μm
■   測(cè)量時(shí)間:2秒/次
■   最小測(cè)試面積:30x30 mm2
■   推薦使用溫度:20℃
■   濕度:≤80%
■   氣壓:86-106kPa
■   使用電壓:230±10V
■   頻率,50±3Hz
■   功率消耗:≤5W
尺寸(LxWxH):280x200x60mm[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]

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